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BD241C
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 5 A, 40 W, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,518 |
| 10+ | ₩699 |
| 100+ | ₩620 |
| 500+ | ₩478 |
| 1000+ | ₩382 |
| 5000+ | ₩344 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호BD241C
주문 코드9801553
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
애플리케이션
Audio, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002