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BD435
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호BD435복사
주문 코드9956310
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max32V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation36W
Transistor Case StyleTO-126
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min140hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-126
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
140hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
32V
Power Dissipation
36W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00064