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BD912
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,023 |
| 10+ | ₩1,660 |
| 100+ | ₩1,444 |
| 500+ | ₩1,189 |
| 1000+ | ₩1,032 |
| 5000+ | ₩942 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호BD912
주문 코드1084576
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation90W
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BD912 is a silicon epitaxial base NPN Power Transistor. Designed for use in power linear and switching applications.
- 5A Base current
애플리케이션
Audio, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
90W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002649