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BUL216
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,333 |
| 10+ | ₩2,160 |
| 100+ | ₩1,945 |
| 500+ | ₩1,585 |
| 1000+ | ₩1,351 |
| 5000+ | ₩1,323 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호BUL216
주문 코드9935193
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max800V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation90W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BUL216 is a 800V High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor manufactured using high voltage Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- High voltage capability
- Very high switching speed
- High operating junction temperature
- High ruggedness
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
애플리케이션
Lighting, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
800V
Power Dissipation
90W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041