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BUL89
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 110 W, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 개요
The BUL89 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Mesa technology for high performance. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. It is designed for use in lighting applications and switch-mode power supplies.
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- Low base-drive requirements
- Very high switching speed
애플리케이션
Industrial, Power Management, Lighting
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
12A
Transistor Case Style
TO-220
Transition Frequency
-
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
110W
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002