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MJD122-1
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 8 A, 20 W
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,047 |
| 10+ | ₩801 |
| 100+ | ₩733 |
| 500+ | ₩665 |
| 1000+ | ₩552 |
| 5000+ | ₩536 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호MJD122-1
주문 코드4036346
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN8A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN20W
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
No. of Pins3Pins
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
8A
Power Dissipation NPN
20W
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00031