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PD57006-E
RF FET Transistor, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, PowerSO-10RF
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더 이상 제조되지 않음
제품 개요
The PD57006-E is a N-channel RF Power Transistor designed for high gain, broad band applications. It operates at 28V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. It boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- Enhancement-mode lateral field-effect transistor
애플리케이션
Industrial, Commercial, Power Management
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Channel Type
N Channel
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003