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SCT015W120G3-4AG
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
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제조업체 부품 번호SCT015W120G3-4AG복사
제조업체 표준 리드 타임38주
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCT015W120G3-4AG복사
제조업체 표준 리드 타임38주
주문 코드4538744
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id129A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation673W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
129A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
673W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001