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SCT018W65G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩19,922 |
| 5+ | ₩18,417 |
| 10+ | ₩17,482 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCT018W65G3AG
주문 코드4740491
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation398W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
398W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001