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SCT055TO65G3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
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제조업체 부품 번호SCT055TO65G3복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링4632682RL
컷 테이프4632682
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩14,418 | ₩14,418 |
| 총계 가격 | ₩14,418 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩14,418 |
| 5+ | ₩12,134 |
| 10+ | ₩9,849 |
| 50+ | ₩8,990 |
| 100+ | ₩8,131 |
| 250+ | ₩7,969 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCT055TO65G3복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링4632682RL
컷 테이프4632682
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleTO-LL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-LL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.697