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STB18NM80
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,031 |
| 10+ | ₩5,402 |
| 100+ | ₩3,878 |
| 500+ | ₩3,674 |
| 1000+ | ₩3,420 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STB18NM80
주문 코드2098126
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STB18NM80 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
- 100% Avalanche tested
- Low gate input resistance
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001724