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STB4NK60Z-1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 2 ohm, I2PAK, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,948 |
| 10+ | ₩1,255 |
| 100+ | ₩974 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STB4NK60Z-1복사
주문 코드5115083
Product RangeSuperMESH Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleI2PAK
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperMESH Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
I2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperMESH Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001