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STD5N95K3
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,822 |
| 10+ | ₩2,966 |
| 100+ | ₩2,291 |
| 500+ | ₩1,904 |
| 1000+ | ₩1,781 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STD5N95K3
주문 코드2098176
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STD5N95K3 is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low ON-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Extremely large avalanche performance
- Very low intrinsic capacitances
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.03