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STF10NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩4,721 |
| 10+ | ₩2,557 |
| 100+ | ₩2,444 |
| 500+ | ₩2,342 |
| 1000+ | ₩1,797 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STF10NM60N
주문 코드2098196
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
STF10NM60N is a N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is Therefore, suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- 600V drain-source breakdown voltage
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 550 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 10A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.007257