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STF11NM50N
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,039 |
| 10+ | ₩2,428 |
| 100+ | ₩2,278 |
| 500+ | ₩2,203 |
| 1000+ | ₩2,069 |
| 5000+ | ₩2,039 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STF11NM50N
주문 코드2098199
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The STF11NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure strip layout to yields lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.19