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STGB30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGB30H65DFB2
주문 코드3528422
Product RangeHB2
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeHB2
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00169