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STGB30M65DF2
IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGB30M65DF2
주문 코드2490226
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation258W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSL-
기술 사양
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
258W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002