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STGW20NC60VD
IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,089 |
| 10+ | ₩3,423 |
| 100+ | ₩2,356 |
| 500+ | ₩2,341 |
| 1000+ | ₩2,119 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGW20NC60VD
주문 코드9512535
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STGW20NC60VD is a 600V very fast IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. It is suitable for use with high frequency inverters, UPS, motor drive, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- High current capability
- High frequency operation up to 50KHz
- Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
- ±20V Gate to emitter voltage
- 0.63°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 1.5°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 50°C/W Thermal resistance, junction to ambient
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.007439