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STGW40M120DF3
IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,263 |
| 5+ | ₩7,443 |
| 10+ | ₩6,622 |
| 50+ | ₩6,603 |
| 100+ | ₩6,583 |
| 250+ | ₩6,563 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGW40M120DF3
주문 코드2470028
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation468W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STGW40M120DF3 is a Trench gate field-stop IGBT developed using an advanced proprietary Trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBT, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
애플리케이션
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Maintenance & Repair
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
468W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002