페이지 인쇄
STH180N10F3-2
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 19주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,191 |
| 10+ | ₩4,291 |
| 100+ | ₩3,916 |
| 500+ | ₩3,513 |
| 1000+ | ₩3,311 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩8,191
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체 부품 번호STH180N10F3-2복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드2098248
Product RangeStripFET F3
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance3900µohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation315W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStripFET F3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
StripFET F3
MSL
MSL 1 - Unlimited
STH180N10F3-2의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003175