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STL42P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,151 |
| 10+ | ₩2,194 |
| 100+ | ₩1,547 |
| 500+ | ₩1,238 |
| 1000+ | ₩1,014 |
| 5000+ | ₩999 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체 부품 번호STL42P6LLF6
주문 코드2807202
Product RangeSTripFET F6
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
제품 개요
STL42P6LLF6 is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. Suitable for switching applications.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Drain-source breakdown voltage is -60V at VGS = 0V, ID = -250µA
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is -42A
- 34mohm max static drain-source on resistance
- PowerFLAT 5x6 package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000142