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STP10N62K3
Power MOSFET, N Channel, 620 V, 8.4 A, 0.68 ohm, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호STP10N62K3
주문 코드2098285
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds620V
Continuous Drain Current Id8.4A
Drain Source On State Resistance0.68ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.4A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
620V
Drain Source On State Resistance
0.68ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.19