STP11NM80
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole
더 필요하세요?
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,581 |
| 10+ | ₩5,673 |
| 100+ | ₩5,197 |
| 500+ | ₩4,665 |
| 1000+ | ₩4,572 |
제품 정보
제품 개요
The STP11NM80 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
- Low gate input resistance
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
N Channel
11A
TO-220
10V
150W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
800V
0.4ohm
Through Hole
4V
3Pins
-
-
STP11NM80의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
RoHS
RoHS
제품 준수 증명서