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제품 정보
제조업체 부품 번호STP3N150
주문 코드1456344
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The STP3N150 is a PowerMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized intrinsic capacitances and Qg. This Power MOSFET designed using the company's consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
- 100% Avalanche tested
- High speed switching
- Creepage distance path is 5.4mm
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00204