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STP6NK90ZFP
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,805 |
| 10+ | ₩2,121 |
| 100+ | ₩2,092 |
| 500+ | ₩2,027 |
| 1000+ | ₩1,961 |
| 5000+ | ₩1,922 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STP6NK90ZFP
주문 코드1291986
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance1.56ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STP6NK90ZFP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
- Very good manufacturing repeatability
애플리케이션
Industrial, Power Management
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
1.56ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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5개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.007257