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STPSC10065DY
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호STPSC10065DY복사
주문 코드2851913
기술 데이터 시트
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge34nC
Diode Case StyleTO-220AC
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
STPSC10065DY의 대체 제품
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제품 개요
The Schottky Silicon-Carbide Diodes from STMicroelectronics take advantage of SiC's impressive performance over standard Silicon. Offering double or triple the bandgap in comparison to silicon means that SIC devices can tolerate much higher voltages and electric fields. The low reverse recovery characteristics increase efficiency in all systems thanks to their low forward voltage and make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings. These savings are found in SMPS applications as well as solar energy conversion, EV or HEV charging stations, and many more. The product ranges from 600V to 1200Vin through hole and SMD packages.
기술 사양
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
34nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-220AC
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.018688