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STQ1NK80ZR-AP
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 300 mA, 16 ohm, TO-92, Through Hole
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제조업체 부품 번호STQ1NK80ZR-AP복사
제조업체 표준 리드 타임16주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,128 |
| 10+ | ₩1,342 |
| 100+ | ₩991 |
| 500+ | ₩777 |
| 1000+ | ₩507 |
| 5000+ | ₩497 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STQ1NK80ZR-AP복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드2344082
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance16ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The STQ1NK80ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
- New high voltage benchmark
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
16ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00034