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STS10DN3LH5
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,140 |
| 10+ | ₩998 |
| 100+ | ₩827 |
| 500+ | ₩667 |
| 1000+ | ₩616 |
| 5000+ | ₩604 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STS10DN3LH5
주문 코드2807225
Product RangeSTripFET V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET V Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.019ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
STripFET V Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000122