페이지 인쇄
STS8DN6LF6AG
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,105 재고
더 필요하세요?
2105 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,727 |
| 10+ | ₩1,748 |
| 100+ | ₩1,165 |
| 500+ | ₩1,142 |
| 1000+ | ₩1,119 |
| 5000+ | ₩1,096 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,727
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체 부품 번호STS8DN6LF6AG
주문 코드3129917
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.2W
Power Dissipation P Channel3.2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.2W
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00035