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STW11NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,457 |
| 10+ | ₩6,029 |
| 100+ | ₩4,345 |
| 500+ | ₩4,259 |
| 1000+ | ₩4,172 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STW11NK100Z
주문 코드1468004
Product RangeSTW
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
제품 개요
The STW11NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.010433