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STW58N65DM2AG
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩16,293 |
| 5+ | ₩15,132 |
| 10+ | ₩13,970 |
| 50+ | ₩13,185 |
| 100+ | ₩12,416 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STW58N65DM2AG
주문 코드2522904
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00916