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VNS1NV04DPTR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,987 |
| 10+ | ₩1,346 |
| 100+ | ₩1,344 |
| 500+ | ₩1,341 |
| 1000+ | ₩1,339 |
| 5000+ | ₩1,336 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호VNS1NV04DPTR-E
주문 코드2341721
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The VNS1NV04DPTR-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
4W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000319