페이지 인쇄
제품 정보
제조업체 부품 번호CSD16322Q5
주문 코드3009641RL
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id97A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor Case StyleSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation3.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The CSD16322Q5 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
97A
Transistor Case Style
SON
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000289