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CSD88537NDT
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,876 |
| 10+ | ₩2,033 |
| 100+ | ₩1,855 |
| 500+ | ₩1,676 |
| 1000+ | ₩1,497 |
| 5000+ | ₩1,319 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD88537NDT
주문 코드3125082
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
제품 개요
The CSD88537NDT is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0125ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0125ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001