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GT20N135SRA,S1E(S
IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,912 |
| 10+ | ₩4,880 |
| 100+ | ₩2,948 |
| 500+ | ₩2,863 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호GT20N135SRA,S1E(S
주문 코드3872259
AKAGT20N135SRA ,GT20N135SRA,S1E
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation312W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
312W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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무게(kg):.000001