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GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,358 |
| 10+ | ₩4,514 |
| 100+ | ₩3,281 |
| 500+ | ₩2,992 |
| 1000+ | ₩2,824 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호GT30J65MRB,S1E(S
주문 코드4153421
AKAGT30J65MRB ,GT30J65MRB,S1E
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.4V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
기술 사양
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.4V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0046