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HN1C01FE-GR,LF(T
Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 150 mA, 100 mW
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 10+ | ₩72 |
| 100+ | ₩66 |
| 500+ | ₩50 |
| 2500+ | ₩46 |
| 10000+ | ₩42 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호HN1C01FE-GR,LF(T복사
주문 코드5130590
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN150mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN100mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN120hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN80MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
150mA
Power Dissipation NPN
100mW
DC Current Gain hFE Min NPN
120hFE
Transistor Case Style
SOT-563
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
80MHz
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015