페이지 인쇄
RFM04U6P(TE12L,F)
RF FET Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호RFM04U6P(TE12L,F)
주문 코드3872262
AKARFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds16V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
16V
Power Dissipation
7W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001