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SSM3J112TU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM3J112TU,LF(T복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
컷 테이프4387159
컷 테이프4387159RL
AKASSM3J112TU, SSM3J112TU,LF
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩303 |
| 50+ | ₩285 |
| 100+ | ₩266 |
| 500+ | ₩197 |
| 1500+ | ₩194 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM3J112TU,LF(T복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
컷 테이프4387159
컷 테이프4387159RL
AKASSM3J112TU, SSM3J112TU,LF
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000006