페이지 인쇄
SSM6J511NU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6J511NU,LF(T복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링3872301RL
컷 테이프3872301
AKASSM6J511NU, SSM6J511NU,LF
귀하의 부품 번호
주문 가능
입고 시 알림 요청
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,023 | ₩5,115 |
| 총계 가격 | ₩5,115 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,023 |
| 10+ | ₩632 |
| 100+ | ₩405 |
| 500+ | ₩308 |
| 1000+ | ₩230 |
| 5000+ | ₩198 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6J511NU,LF(T복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드
리릴링3872301RL
컷 테이프3872301
AKASSM6J511NU, SSM6J511NU,LF
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleUDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
UDFN
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001