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SSM6N56FE,LM(T
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6N56FE,LM(T복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드
리릴링4387206RL
컷 테이프4387206
AKASSM6N56FE, SSM6N56FE,LM
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩661 | ₩3,305 |
| 총계 가격 | ₩3,305 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩661 |
| 50+ | ₩419 |
| 250+ | ₩265 |
| 1000+ | ₩231 |
| 2000+ | ₩202 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6N56FE,LM(T복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드
리릴링4387206RL
컷 테이프4387206
AKASSM6N56FE, SSM6N56FE,LM
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.235ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.235ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000003