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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK12Q60W,S1VQ(S복사
주문 코드5130382
Product RangeDTMOS IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.34ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDTMOS IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.5A
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.34ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DTMOS IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015