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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK2P60D(TE16L1,NV)복사
주문 코드5130400
Product Rangep-MOS VII
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance4.3ohm
Transistor Case StyleNew PW-Mold
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Rangep-MOS VII
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
New PW-Mold
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
4.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
p-MOS VII
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015