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TK31V60W,LVQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩13,093 |
| 10+ | ₩9,009 |
| 100+ | ₩6,695 |
| 500+ | ₩6,150 |
| 1000+ | ₩6,027 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK31V60W,LVQ(S
주문 코드3977656
AKATK31V60W, TK31V60W,LVQ
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30.8A
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation240W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30.8A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001