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TK3R9E10PL,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 3300 µohm, TO-220, Through Hole
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK3R9E10PL,S1X(S복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드4173103
AKATK3R9E10PL, TK3R9E10PL,S1X
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제조업체 표준 리드 타임: 20주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,209 |
| 10+ | ₩3,153 |
| 100+ | ₩3,010 |
| 500+ | ₩2,191 |
| 1000+ | ₩2,148 |
| 5000+ | ₩2,104 |
가격기준Each
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주문 배수수량: 1
₩6,209
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK3R9E10PL,S1X(S복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드4173103
AKATK3R9E10PL, TK3R9E10PL,S1X
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00193