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TK4R4P06PL,RQ(S2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK4R4P06PL,RQ(S2
주문 코드4173116
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATK4R4P06PL, TK4R4P06PL,RQ
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK4R4P06PL,RQ(S2
주문 코드4173116
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATK4R4P06PL, TK4R4P06PL,RQ
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source On State Resistance0.0034ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation87W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
106A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
87W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00033