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TK5R1P08QM,RQ(S2
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK5R1P08QM,RQ(S2복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링4173128RL
컷 테이프4173128
Product RangeU-MOSX-H Series
AKATK5R1P08QM, TK5R1P08QM,RQ
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,967 | ₩2,967 |
| 총계 가격 | ₩2,967 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,967 |
| 10+ | ₩1,901 |
| 100+ | ₩1,277 |
| 500+ | ₩1,242 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK5R1P08QM,RQ(S2복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링4173128RL
컷 테이프4173128
Product RangeU-MOSX-H Series
AKATK5R1P08QM, TK5R1P08QM,RQ
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
105A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00033