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TK5R3E08QM,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 126 A, 4200 µohm, TO-220, Through Hole
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK5R3E08QM,S1X(S
주문 코드4173130
Product RangeU-MOSX-H Series
AKATK5R3E08QM, TK5R3E08QM,S1X
기술 데이터 시트
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK5R3E08QM,S1X(S
주문 코드4173130
Product RangeU-MOSX-H Series
AKATK5R3E08QM, TK5R3E08QM,S1X
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00196