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TK7R0E08QM,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 82 A, 5500 µohm, TO-220, Through Hole
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK7R0E08QM,S1X(S
주문 코드4173162
Product RangeU-MOSX-H Series
AKATK7R0E08QM, TK7R0E08QM,S1X
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,948 |
| 10+ | ₩1,359 |
| 100+ | ₩1,277 |
| 500+ | ₩1,116 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK7R0E08QM,S1X(S
주문 코드4173162
Product RangeU-MOSX-H Series
AKATK7R0E08QM, TK7R0E08QM,S1X
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id82A
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation87W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
82A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
87W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00196