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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK8S06K3L(T6L1,NQ)복사
주문 코드5130442
Product RangeDTMOS IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDTMOS IV
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DTMOS IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.015